紅外探傷儀檢測報告如何辦理？測試哪些項目呢？檢測費用價格是多少呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應紅外探傷儀檢測標準或者根據(jù)您的需求設計檢測方案?！驹斍樽稍儯?32-6275-2056】。做檢測，上百檢！我們只做真實檢測。

檢測周期

一般3-15個工作日，可加急。

檢測方式

可寄樣檢測、目測檢測、見證試驗、現(xiàn)場檢測等。

檢測費用

具體根據(jù)紅外探傷儀檢測檢測數(shù)量和項目而定。詳情請咨詢在線客服。

檢測產(chǎn)品

0紅外探傷儀簡介

在特定光源和紅外探測器的協(xié)助下，HS-NIR-01型紅外探傷測試儀能夠穿透200mm深度的硅塊，純硅料幾乎不吸收這個波段的波長，但是如果硅塊里面有微粒、夾雜(通常為SiC)、隱裂，則這些雜質(zhì)將吸收紅外光，因此在成像系統(tǒng)中將呈現(xiàn)出來，而且這些圖像將通過我們的軟件自動生成三維模型圖像。

1紅外探傷儀部分技術參數(shù)

■主要探測指標：夾雜（通常為SiC），隱裂，微粒等

■硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm（推薦）

■檢測時間：平均每個硅塊1分鐘

■探測深度：200mm

■外框和箱體

>尺寸：143x53x55

>外框采用數(shù)控工程鋁合金

>外框是覆蓋靜電強力漆鋁面板

>主機重量：98 kg

>附件重量：25 kg

■旋轉(zhuǎn)臺

>采用單軸伺服電機

>承載量:40kg

> 具有過流保護以防止損傷和電機燒毀

>無步進損失，高分辨率解碼機器

■紅外光源

>高強度NIR鹵燈，273mm加熱波長

>功率：230V, 1000W

>溫度：25-60攝氏度

>光強可通過軟件控制

>軟件具有過熱保護

■觀測儀

>采用紅外CCD控溫

>12位ADC

> 頻率：60Hz和100Hz兩個選擇

>像素間距: 30μm

>分辨率：: 320x256 像素

>可手動調(diào)節(jié)紅外鏡頭

2紅外探傷儀儀器特點

■為太陽能多晶硅片過程中的質(zhì)量控制提供了強大的監(jiān)測工具

■檢測速度快，平均每個硅塊檢測時間為不超過1分鐘

■NIRVision軟件能夠分析4面探傷結(jié)果，并且直接將結(jié)果轉(zhuǎn)換成三維模型圖像

■成像過程將自動標出夾雜的位置所在

■獨特的加強型內(nèi)插法為高分辨率的雜質(zhì)探傷功能提供了強大的技術保障

■采用歐洲數(shù)控工程鋁合金材料

■表面都采用了高強度漆面和電氧化工藝保護

■系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設計

■所有的部件的設計都達到了長期高強度使用及較小維護量的要求

■能夠通過自動或手動旋轉(zhuǎn)對硅塊的前后左右四面和上下兩面進行全面探傷。

■紅外光源通過交直流光源進行控制，光強可以通過軟件直接控制，同時它具有過熱保護功能

■同時軟件包含了雜質(zhì)圖像的管理分析功能

■穩(wěn)定性和耐用性俱佳。

■探傷測試面進行拋光處理，因此我們推薦在線切割之前進行紅外探傷

■紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對紅外光的吸收越多

■一般電阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我們推薦的電阻率在0.8Ohm*Cm以上

3紅外探傷儀工作原理

多晶硅紅外探傷測試儀主要由紅外光源，旋轉(zhuǎn)臺，成像系統(tǒng)構(gòu)成。成像系統(tǒng)的參數(shù)設置包括光照亮度，對比度，伽馬射線和一體化的時間設置，獲取模式選擇和損壞像素管理。旋轉(zhuǎn)臺由單軸伺服電機驅(qū)動，同時擁有光電編碼器的位置檢查的功能。軟件也可以直接控制伺服電機。

通常都是在硅塊清洗處理后線切割前進行紅外探傷，在線切割前進行紅外探傷不僅可以減少線痕片，而且可以減少SiC斷線，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統(tǒng)中。斷線的修復是一個費時費力的工作，同時不是所有的斷線都能夠成功。因此它是多晶硅片生產(chǎn)中不可或缺的工具。

4紅外探傷儀儀器簡介

紅外探傷測試儀是專門用于多晶硅片生產(chǎn)中的硅塊硅棒硅片的裂縫、雜質(zhì)、黑點、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器。

以上紅外探傷儀檢測相關信息，僅供參考，百檢為您提供一站式的檢測服務，包括：食品、環(huán)境、醫(yī)療、建材、電子、化工、汽車、家居、母嬰、玩具、箱包、水質(zhì)、化妝品、紡織品、日化品、農(nóng)產(chǎn)品等。更多檢測問題請咨詢在線客服。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。