變?nèi)荻?管檢測報告如何辦理？測試哪些項目呢？檢測費用價格是多少呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應變?nèi)荻?管檢測標準或者根據(jù)您的需求設計檢測方案。做檢測，上百檢！我們只做真實檢測。

檢測周期

一般3-15個工作日，可加急。

檢測方式

可寄樣檢測、目測檢測、見證試驗、現(xiàn)場檢測等。

檢測費用

具體根據(jù)變?nèi)荻?管檢測檢測數(shù)量和項目而定。詳情請咨詢在線客服。

檢測產(chǎn)品

0變?nèi)荻?管簡介

變?nèi)荻?管(Varactor Diodes)又稱"可變電抗二*管"，是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻?管的電容量一般較小，其較大值為幾十皮法到幾百皮法，較大電容與較小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機的調(diào)諧回路中作可變電容。

1變?nèi)荻?管主要參量

主要參量是：零偏結(jié)電容、零偏壓優(yōu)值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標稱電容、電容變化范圍（以皮法為單位）以及截止頻率等。

2變?nèi)荻?管作用特點

變?nèi)荻?管

1、變?nèi)荻?管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導體器

變?nèi)荻?管與反向偏壓

件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。

變?nèi)荻?管屬于反偏壓二*管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關系是非線性的，如右圖所示。

2、變?nèi)荻?管的電容值與反向偏壓值的關系圖解：

(a) 反向偏壓增加，造成電容減少；

(b) 反向偏壓減少，造成電容增加。

電容誤差范圍是一個規(guī)定的變?nèi)荻?管的電容量范圍。數(shù)據(jù)表將顯示較小值、標稱值及較大值，這些經(jīng)常繪在圖上。

3變?nèi)荻?管工作原理

變?nèi)荻?管(Varactor Diodes)為特殊二*管的一種。當外加順向偏壓時，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負*）結(jié)的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴散電容效應；當外加反向偏壓時，則會產(chǎn)生過渡電容效應。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生，所以在應用上均供給反向偏壓。

變?nèi)荻?管也稱為壓控變?nèi)萜?，是根?jù)所提供的電壓變化而改變結(jié)電容的半導體。也就是說，作為可變電容器，可以被應用于FM調(diào)諧器及TV調(diào)諧器等諧振電路和FM調(diào)制電路中。

其實我們可以把它看成一個PN結(jié)，我們想，如果在PN結(jié)上加一個反向電壓V（變?nèi)荻?管是反向來用的），則N型半導體內(nèi)的電子被引向正*，P型半導體內(nèi)的空穴被引向負*，然后形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層，該耗盡層的寬度我們設為d，隨著反向電壓V的變化而變化。如此一來，反向電壓V增大，則耗盡層d變寬，二*管的電容量C就減少（根據(jù)C=kS/d），而反向電壓減小，則耗盡層寬d變窄，二*管的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化，從而改變了壓控變?nèi)萜鞯慕Y(jié)容量C。達到了目的。

變?nèi)荻?管是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。

變?nèi)荻?管有玻璃外殼封裝（玻封）、塑料封裝（塑封）、金屬外殼封裝（金封）和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖4-18所示。通常，中小功率的變?nèi)荻?管采用玻封、塑封或表面封裝，而功率較大的變?nèi)荻?管多采用金封。常用變?nèi)荻?管參數(shù)。

4變?nèi)荻?管用途材料

5變?nèi)荻?管其他信息

常用的國產(chǎn)變?nèi)荻?管有2CC系列和2CB系列，下表為其主要參數(shù)。

6變?nèi)荻?管參考資料

1.陳梓城．模擬電子技術基礎：高等教育出版社，2013年

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檢測流程步驟

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