- N +

二次離子質(zhì)譜(SIMS)檢測項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)方法大全

檢測報(bào)告圖片樣例

標(biāo)準(zhǔn)分類中,sims涉及到分析化學(xué)、光學(xué)和光學(xué)測量、微生物學(xué)、半導(dǎo)體材料、醫(yī)療設(shè)備。

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中,sims涉及到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、化學(xué)、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、基礎(chǔ)學(xué)科綜合、一般與顯微外科器械、輕金屬及其合金分析方法、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、光學(xué)計(jì)量儀器。

日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會(huì),關(guān)于sims的標(biāo)準(zhǔn)

JIS K0169-2012 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜(SIMS).帶多重亞鉛層對照物的深度分辨率參數(shù)估算方法

JIS K0169-2012 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜(SIMS).帶多重亞鉛層對照物的深度分辨率參數(shù)估算方法

美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì),關(guān)于sims的標(biāo)準(zhǔn)

ASTM E1880-2012 用次級離子質(zhì)譜法 (SIMS) 進(jìn)行組織低溫截面分析的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

ASTM E1881-2012 用次級離子質(zhì)譜法 (SIMS) 對細(xì)胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南

ASTM E1162-2011 報(bào)告次級離子質(zhì)譜分析法(SIMS)中濺深深度文件數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程

ASTM E1438-2011 使用SIMS測量濺鍍深度剖面接口寬度的標(biāo)準(zhǔn)指南

ASTM E1881-2006 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進(jìn)行細(xì)胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南

ASTM E1880-2006 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進(jìn)行組織低溫截面分析的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

ASTM E1635-2006(2011) 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程

ASTM E1438-2006 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量深度摻雜分布界面寬度標(biāo)準(zhǔn)指南

ASTM E1504-2006 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

ASTM E1635-2006 報(bào)告次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)用標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

ASTM E1162-2006 報(bào)告次級離子質(zhì)譜法(SIMS)中濺射深度截面數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

ASTM E2426-2005 用SIMS測量同位素比率對脈沖計(jì)算系統(tǒng)死時(shí)間測定的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

ASTM F1617-1998 用次級離子質(zhì)譜測定法(SIMS)測定表面鈉,鋁,鉀-硅和EPI襯底的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

ASTM E1880-1997(2002) SIMS組織低溫部分分析的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程

ASTM E1881-1997 SIMS細(xì)胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南

ASTM E1881-1997(2002) SIMS細(xì)胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南

ASTM E1880-1997 SIMS組織低溫部分分析的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程

ASTM E1504-1992(2001) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范

ASTM E1505-1992(1996) 根據(jù)離子移植外標(biāo)物測定 SIMS 有關(guān)敏感因素的標(biāo)準(zhǔn)指南

ASTM E1504-1992(1996) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范

ASTM E1505-1992(2001) 根據(jù)離子移植外標(biāo)物測定 SIMS 有關(guān)敏感因素的標(biāo)準(zhǔn)指南

ASTM E1438-1991(2001) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度

ASTM E1438-1991(1996) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度

ASTM E1162-1987(1996) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報(bào)告濺射深度截面數(shù)據(jù)

ASTM E1162-1987(2001) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報(bào)告濺射深度截面數(shù)據(jù)

德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì),關(guān)于sims的標(biāo)準(zhǔn)

DIN 13133-1-2005 醫(yī)療儀器.Sims型彎形子宮剪.第1部分:不含硬質(zhì)合金鑲片

檢測流程步驟

檢測流程步驟

溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考使用,更多檢測需求請咨詢客服。

返回列表
上一篇:水稻檢測項(xiàng)目清單及標(biāo)準(zhǔn)方法
下一篇:貝殼檢測項(xiàng)目清單及標(biāo)準(zhǔn)方法